НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ В IT ИНДУСТРИИ - Обзор новых технологий, принципов работы. Новое в науке и технике. Подробное и доступное изложение тематики. Перспективы развития и применения в промышленности, бытовой сфере.

05.06.2017 IT-корпорация IBM объявила о создании первых рабочих образцов процессоров с транзисторами размером 5 нанометров

IT-корпорация IBM объявила о создании первых рабочих образцов процессоров с транзисторами размером 5 нанометров. Разработка велась совместно с компаниями GlobalFoundries и Samsung Electronics.

 

Новая технология позволяет размещать на одном чипе размером с человеческий ноготь до 30 млрд транзисторов и использовать их в самом различном оборудовании — от смартфонов до космических кораблей. Первые в мире 7-нм чипы, анонсированные IBM два года назад, имели 20 млрд транзисторов. Более высокая плотность размещения транзисторов в микросхеме увеличивает скорость прохождения сигнала между ними. В IBM утверждают, что 5-нм решения на 40 % производительнее нынешних 10-нм чипов или на 75 % энергоэффективнее их при одинаковом быстродействии.

 

Представленный чип использует новый тип транзисторов, объединённых в так называемые кремниевые нанолисты (silicon nanosheets). Они посылают электроны через четыре затвора, тогда в случае с транзисторами FinFET (считаются наиболее продвинутыми на данный момент на массовом рынке) речь идёт о трёх затворах. Технология FinFET появилась в 22- и 14-нм полупроводниках, ожидается, что она останется в 7-нм чипах. Полупроводниковая отрасль отходит от FinFET, поскольку технология не способна масштабироваться геометрически, заявил вице-президент по исследованиям полупроводниковых технологий IBM Research Мукеш Харе (Mukesh Khare).

 

«Уход за пределы 7 нанометров является важной инновацией, — комментирует Харе. — Это инновация в конструктивном плане и том, как всё больше транзисторов собираются вместе. Эта структура транзисторов открывает путь к настоящему 5-нм техпроцессу».
На данный момент ещё рано говорить о коммерческом выходе 5-нм микросхем (ориентировочные сроки — 2020 год). Однако уже известно, что для производства таких решений IBM будет использовать технологию фотолитографии в глубоком ультрафиолете (extreme ultraviolet lithography, EUV). 

https://3dnews.ru

23.05.2017 Специалистами Samsung Display создан дисплей 4К с плотностью 2250 пикселей на дюйм

Наряду с растягивающимся дисплеем компания Samsung Display приготовила для показа на мероприятии SID Display Week 2017 и другие интересные разработки. В частности, это дисплей 3D OLED, формирующий стереоскопическое изображение, видимое без специальных очков. Размер дисплея — 5,09 дюйма по диагонали. По словам производителя, использование технологии OLED позволяет повысить реалистичность объемных изображений по сравнению с жидкокристаллическими дисплеями.

 

Также будет показан жидкокристаллический дисплей размером 1,96 дюйма и разрешением 3840 х 2160 пикселей, предназначенный для гарнитур виртуальной и дополненной реальности. Приведенные параметры соответствуют рекордной плотности 2250 пикселей на дюйм. Список новинок включает дисплей OLED размером 3,5 дюйма с плотностью 858 пикселей на дюйм и частотой обновления 120 Гц. Он оптимизирован для гарнитур виртуальной реальности и носимых электронных устройств.

 

Еще три дисплея выполнены по жидкокристаллической технологии. Безрамочный вогнутый экран размером 65 дюймов предназначен для телевизоров. Вогнутая форма позволяет уменьшить блики. Экран охватывает 100% цветов по стандарту DCI-P3. Для мониторов предназначены вогнутые панели размером 34 и 27 дюймов. Первая имеет разрешение 3440 х 1440 пикселей, вторая — 1920 х 1080, но она поддерживает частоту обновления 144 Гц. 

http://www.ixbt.com